d) La sensibilité aux variations du procédé de fabrication
La miniaturisation extrême des transistors accentue leur sensibilité aux variations du procédé de fabrication (appelée « variabilité ») : lorsque l'épaisseur d'une couche ne comporte que quelques atomes, une variation d'un seul atome a une influence forte sur les performances. Pourtant, les transistors sont fabriqués selon les mêmes procédés.
Pour maîtriser la fluctuation des performances, les fabricants développent de nouvelles architectures (parallèles, asynchrones) et de nouvelles méthodes de conception (redondance des transistors, auto détection des pannes, méthodes de récupération d'erreur matérielles et logicielles).
e) La sensibilité des circuits intégrés à la radioactivité
Deux sources de radioactivité viennent perturber la performance des transistors :
- les rayons cosmiques qui peuvent entraver le bon fonctionnement des circuits intégrés contenus dans les satellites ;
- la radioactivité naturelle liée aux matériaux des boîtiers des circuits intégrés.
Il existe certes des codes de correcteurs d'erreurs qui permettent de corriger les erreurs mais ils ne sont efficaces que jusqu'à un certain taux d'erreur.
Or, si la miniaturisation réduit le taux d'erreurs par transistor dans la mesure où la diminution du volume du transistor limite ses interactions avec les particules énergétiques dues à la radioactivité, le nombre total d'erreurs par circuit croît en raison de l'augmentation régulière du nombre total de transistors sur une même surface de silicium (cf la loi de Moore).
Les composants sur SOI sont moins sensibles à ce type d'erreur, d'où leur diffusion historique dans les applications militaires et l'intérêt que suscite leur intégration dans les technologies avancées.